Etching Mechanism of Indium Tin Oxide Thin Films using Cl2/HBr Inductively Coupled Plasma

김성일; 권광호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김성일 권광호

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제1호

발행연도: 2009.1

수록면: 1 - 4 (4page)

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Dry etching characteristics of indium tin oxide films and etch selectivities over photoresist films were investigated using Cl2/HBr inductively coupled plasma. From a Langmuir probe diagnostic system, it was observed that while the plasma temperature was kept nearly constant in spite of the change of the HBr mixing ratio, the positive ion density decreases rapidly with increasing the mixing ratio. On the other hand, a quadrupole mass spectrometer showed that the neutral HBr and Br species increased. The etching mechanism in the HBr/Cl2 plasma was analyzed.

#Cl2/HBr #ICP #ITO #QMS #Langmuir probe system

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A. Efremov / 2008 / / J. Electrochem. Soc. 155 : D777 ~

Alexander Efremo / 2008 / Plasma Parameters and Active Species Kinetics in an Inductively Coupled HBr Plasma / Journal of the Korean Physical Society 52 (1) : 48 ~ 55

D. Dimos / 1994 / / J. Appl. Phys 76 : 4305 ~

E. Kaneko / 1987 / KTK Scientific, Tokyo

E. O. Johnson / 1950 / / Phys. Rev. 80 : 58 ~

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