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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 448 - 453 (6page)
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자기정렬구조를 갖는 칼코겐화물 상변화 메모리 소자의 전기적 특성과 온도 분포를 보고한다. 열처리 시 발생하는 Ge와 Sb2Te3 사이의 상호확산을 이용하여 자기정렬방식으로 GST (Ge-Sb-Te) 칼코겐화물 합금 박막을 형성하였다. TEM-EDS 분석으로 GST 합금의 조성이 소자 내의 위치에 따라 다르고 Ge/Sb2Te3 계면 근방에서 Ge2Sb2Te5 칼코겐화물 중간층이 형성된 것을 관찰하였다. 자기정렬방식으로 제작된 소자는 일반적인 소자에 비해 reset 프로그래밍 전류와 문턱 스위칭 전압이 큰 폭으로 감소하였으며, 이러한 현상은 전체 GST 합금 영영 중에서 Ge2Sb2Te5 중간층에서만 상변화가 진행되어 나타나는 것이다. 온도 분포 시뮬레이션을 실시하여 칼코겐화물 합금의 국부적인 상변화 및 열손실 차단으로 인해 상변화 메모리 소자의 온도 상승이 촉진됨을 확인하였다.
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Y. Saito / 2019 / Appl. Phys. Express 12:051008
Seung Jae Baik / 2019 / Control of Microstructural Phase Distribution in Ge 2 Sb 2 Te 5 Phase Change Memory Cells / physica status solidi (a) 216(16):1900196
Yixuan Shi / 2019 / Chalcogenides as thermoelectric materials / Journal of Solid State Chemistry 270:273~279
M.A.A. Noman / 2018 / 2018International Conference on Computer, Communication, Chemical, Material and Electronic Engineering (IC4ME2) :1
Zhe Wu / 2011 / Controlled recrystallization for low-current RESET programming characteristics of phase-change memory with Ge-doped SbTe / Applied Physics Letters 99(14):143505
Seung Jae Baik / 2019 / Control of Microstructural Phase Distribution in Ge 2 Sb 2 Te 5 Phase Change Memory Cells / physica status solidi (a) 216(16):1900196
Yixuan Shi / 2019 / Chalcogenides as thermoelectric materials / Journal of Solid State Chemistry 270:273~279
M.A.A. Noman / 2018 / 2018International Conference on Computer, Communication, Chemical, Material and Electronic Engineering (IC4ME2) :1
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