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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제1호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 7 - 11 (5page)
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The changes of the electrical conductivity in chalcogenide amorphous semiconductors, Ge1Se1Te2, have been studied. A phase change random access memory (PRAM) device without an access transistor is successfully fabricated with the Ge1Se1Te2-phase-change resistor, which has much higher electrical resistivity than Ge2Sb2Te5 and its electric resistivity can be varied by the factor of 105 times, relating with the degree of crystallization. 100 nm thick Ge1Se1Te2 thin film was formed by vacuum deposition at 1.5×10-5 Torr. The static mode switching (DC test) is tested for the 100 µm-sized Ge1Se1Te2 PRAM device. In the first sweep, the amorphous Ge1Se1Te2 thin film showed a high resistance state at low voltage region. However, when it reached to the threshold voltage, Vth, the electrical resistance of device was drastically reduced through the formation of an electrically conducting path. The pulsed mode switching of the 20 µm-sized Ge1Se1Te2 PRAM device showed that the reset of device was done with a 80 ns-8.6 V pulse and the set of device was done with a 200 ns-4.3 V pulse.
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/ 1979. / Electrical characteristics of the thin film interface of amorphous chalcogenide semiconductor J. of KIEE 29 : 111 ~
/ 1991. / Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudo-binary amorphous thin films for an optical disk memory 69 : 2849 ~
/ 1996 / A comprehensive model of submicron chalcogenide switching devices
/ 1998. / Photo-induced transformation in amorphous Se75Ge25 thin films by XeCL excimer laser exposure 83 (10) : 5381 ~
/ 1999. / Nonvolatile, high density, high perfor-mance phase change memory 3891 : 2 ~
/ 1991. / Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudo-binary amorphous thin films for an optical disk memory 69 : 2849 ~
/ 1996 / A comprehensive model of submicron chalcogenide switching devices
/ 1998. / Photo-induced transformation in amorphous Se75Ge25 thin films by XeCL excimer laser exposure 83 (10) : 5381 ~
/ 1999. / Nonvolatile, high density, high perfor-mance phase change memory 3891 : 2 ~
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