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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 442 - 449 (8page)
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Electrical, optical, and structural properties of indium zinc oxide (IZO) films grown by a box cathode sputtering (BCS) were investigated as a function of oxygen flow ratio. A sheet resistance of 42.6 Ω/□, average transmittance above 88 % in visible range, and root mean spare roughness of 2.7 Å were obtained even in the IZO layers grown at room temperature. In addition, it is shown that electrical characteristics of the top-emitting organic light emitting diodes (TOLEDs) with the BCS grown-IZO top cathode layer is better than that of TOLEDs with DC sputter grown IZO top cathode, due to absence of plasma damage effect. Furthermore the effects of oxygen flow ratio in IZO films are investigated, based on x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ultra violet/visible (UV/VIS) spectro- meter, scanning electron microscopy (SEM), and atomic force microscopy (AFM) analysis results.
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/ 1987. / Organic electroluminescnet diodes 51 : 913 ~
/ 1996. / Transparent organic light emitting devices 68 : 2606 ~
/ 1997. / Twin facing target sputtering system for deposition of multilayer and alloy films 48 : 15 ~
/ 1998. / Metal- free cathode for organic semiconductor devices 72 : 2138 ~
/ 1999. / Electrical, optical, and structural properties of indium-tin-oxide thin films for organic light emitting devices 86 : 6451 ~
/ 1996. / Transparent organic light emitting devices 68 : 2606 ~
/ 1997. / Twin facing target sputtering system for deposition of multilayer and alloy films 48 : 15 ~
/ 1998. / Metal- free cathode for organic semiconductor devices 72 : 2138 ~
/ 1999. / Electrical, optical, and structural properties of indium-tin-oxide thin films for organic light emitting devices 86 : 6451 ~
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