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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제12호
발행연도
2006.1
수록면
1,134 - 1,139 (6page)

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Electrical, optical, and structural properties of indium zinc oxide (IZO) anode films grown by a RF magnetron sputtering were investigated as functions of RF power and working pressure in pure Ar ambient. To investigate electrical, optical and structural properties of IZO anode films, 4-point probe and UV/VIS spectrometry, and X-ray diffraction (XRD) were performed, respectively. A sheet resistance of 15.2 Ω/, average transmittance above 80 % in visible range, expecially above 85 % in 550 nm, and root mean square roughness of 1.13 nm were obtained from optimized IZO anode films grown in oxygen free ambient. All samples show amorphous structure regardless of RF power and working pressure due to low substrate temperature. In addition, XPS depth profile obtained from IZO/PES exhibits that there is no obvious evidence of interfacial reaction between IZO and PES substrate. Furthermore, current-voltage-luminance of the flexible phosphorescent flexible OLEDs fabricated on IZO anode shows dependence on sheet resistance of the IZO anode. These results indicate that the IZO anode is a promising candidate to substitute conventional ITO anode for high-quality flexible displays.
#Indium zinc oxide #IZO) #RF magnetron sputtering #Flexible substrate #Phosphorescent OLEDs

목차

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참고문헌 (11)

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/ 1977. / X-ray photoemission spectroscopy studies of Sn- doped indium oxided films 48 : 3524 ~ google schola / 1995. / On the homogeneity of sputter- deposited ITO films Part Ι. Stress and microstructure 266 : 145 ~ google schola / 1998. / Properties of indium tin oxide films prepared by rf reactive magnetron sputtering at different substrate temperature 332 : 56 ~ google schola / 2001 / Characteristics of sputtered indium tin oxide layers as transparent contact materials 19 : 2514 ~ google schola / 2003. / Influence of DC magnetron sputtering parameters on the properties of amorphous indium zinc oxide thin film 445 : 63 ~ google schola

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