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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 276 - 283 (8page)
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Magnetic tunneling transistor (MTT) device using the amorphous n-type Si semiconductor film for base and collector consisting of the [CoFe/NiFe](free layer) and Si(top layer) multilayers was used to study the spin-dependent hot electron magnetocurrent (MC) and tunneling magnetoresistance (TMR) at room temperature. A large MC of 40.2 % was observed at the emitter-base bias voltage (VEB) of 0.62 V. The increasing emitter hot current and transfer ratio (IC/IE) as VEB are mainly due to a rapid increase of the number of conduction band states in the Si collector. However, above the VEB of 0.62 V, the rapid decrease of MC was observed in amorphous Si-based MTT because of hot electron spin-dependent elastic scattering across CoFe/Si interfaces.
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/ 1994. / Semiconductor Sensors : 249 ~
/ 1995. / Perpendicular hot electron spin-valve effect in a new mag- netic field sensor 74 : 5260 ~
/ 2001. / Spin-valve transistor with an Fe/Au/Fe 79 : 1157 ~
/ 2001. / 거대 자기저항 소자와 터널 자기저항 소자의 원리와 응용 14 (5) : 3 ~
/ 2002. / Applications of magnetic nanostructures (3) : 237 ~
/ 1995. / Perpendicular hot electron spin-valve effect in a new mag- netic field sensor 74 : 5260 ~
/ 2001. / Spin-valve transistor with an Fe/Au/Fe 79 : 1157 ~
/ 2001. / 거대 자기저항 소자와 터널 자기저항 소자의 원리와 응용 14 (5) : 3 ~
/ 2002. / Applications of magnetic nanostructures (3) : 237 ~
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