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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
10 - 13 (4page)

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Sr0.6Ba0.4Nb2O6, hereafter SBN60, thin films of 300 nm thickness were deposited using ion beam sputtering technique, in which sintered ceramic target of the same composition was utilized and the Ar:O2 gas ratio was controlled during deposition onto Pt(100)/TiO2/SiO2/Si substrate. Crystallization and orientation behavior as well as electrical properties of the films were examined after annealing treatment at 650~800 oC. It was found that the film orientation was dependent upon Ar:O2 ratio, in which strong (001) orientation was developed when the gas ratio was about 1:4 at 4.3 × 10-4 torr. Typical remanent polarization (2Pr), the coercive field (Ec) and the dielectric constant of Pt/SBN60/Pt thin film capacitor were approximately 10 μC/cm2, 60 kV/cm, and 615, respectively.
#SBN #Ion beam sputtering #Ferroelectric thin film #Tungsten bronze structure

목차

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참고문헌 (14)

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/ 1973. / Preparations and properties of low loss Sr1-xBaxNb2O6 ferroelectric single crystals 2 : 191 ~ google schola / 1980. / Czochralski single crystal growth of Sr0.61Ba0.39Nb2O6 for surface acoustic wave applications 15 : 1235 ~ google schola / 1987. / Photorefractive properties of stron-tium-barium niobate 62 : 374 ~ google schola / 1991. / Ferroelectric Sr0.6Ba0.3Nb2O6 thin film by the sol-gel process 44 : 35 ~ google schola / 1991. / Ferroelectric materials and theirapplication : 254 ~ google schola

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