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The Sr0.?Bi<SUB>2.3</SUB>Nb₂O? thin films were deposited on Si substrate using RF magnetron sputtering method. And the SBN thin films were annealed at 650～800[℃]. The surface rougness showed about 0.42[㎚] in annealed thin film at 650[℃]. The dielectric constant(150) of SBN thin film was obtained by annealing temperature above 700[℃]. The voltage dependence of dielectric loss showed a value within 0.02 in voltage ranges of -10～＋10[V]. The dielectric constant characteristics showed a stable value with the increase of frequency. Also, the SBN thin films annealed at 750[℃] showed a fatigue-free characteristics up to 1.0×10? cycles.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (11)
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1. [학술지(정기간행물)] - Keisuke Saito / 2000 / Method of Distinguishing SrBi2Ta2O9 Phase from Fluorite Phase Using X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping / Jpn.J.Appl.Phys. 39 (9B) : 5489 ~ 5495
2. [학술지(정기간행물)] - C Bedoya / 2002 / Magnetic-field-induced orientation in Co-doped SrBi2Ta2O9 ferroelectric oxide / J. Phys.: Condens. Matter 14 (45) : 11849 ~ 11857
3. [학술지(정기간행물)] - 김진사 / 2009 / RF 스퍼터링법에 의한 SBN 박막의 표면형상 및 유전특성 / 전기전자재료학회논문지 22 (8) : 671 ~ 676
4. [학술지(정기간행물)] - 김진사 / 2009 / 증착온도에 따른 SBN 박막의 미세구조 및 특성 / 전기학회논문지ABCD 58 (3) : 544 ~ 547
5. [학술지(정기간행물)] - K. Fujimoto / 1989 / Growth of BaTiO3-SrTiO3 Thin films by RF Magnetron Sputtering / Thin Solid Films 169 : 249 ~ 256
2. [학술지(정기간행물)] - C Bedoya / 2002 / Magnetic-field-induced orientation in Co-doped SrBi2Ta2O9 ferroelectric oxide / J. Phys.: Condens. Matter 14 (45) : 11849 ~ 11857
3. [학술지(정기간행물)] - 김진사 / 2009 / RF 스퍼터링법에 의한 SBN 박막의 표면형상 및 유전특성 / 전기전자재료학회논문지 22 (8) : 671 ~ 676
4. [학술지(정기간행물)] - 김진사 / 2009 / 증착온도에 따른 SBN 박막의 미세구조 및 특성 / 전기학회논문지ABCD 58 (3) : 544 ~ 547
5. [학술지(정기간행물)] - K. Fujimoto / 1989 / Growth of BaTiO3-SrTiO3 Thin films by RF Magnetron Sputtering / Thin Solid Films 169 : 249 ~ 256
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