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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제11호
발행연도
2016.1
수록면
676 - 680 (5page)

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본 논문에서는 반도체 칩에 사용되는 저전압 감지회로를 기술한다. 이 회로는 3단으로 된 CMOS 구조의 감지부와 2개의 인버터로 구성하였다. 저전압 감지회로의 출력은 전원전압이 80% 이하로 낮아질 때 'low'에서 'high'로 된다. 전원전압이 5[V]일 때, 4[V]지점에서 감지되었다. 제안한 저전압 감지회로는 다양한 전원전압에서도 구조 변화없이 저항과 커패시터만을 변경하여 쉽게 응용할 수 있다.

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