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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.11
- 수록면
- 218 - 221 (4page)
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This paper has proposed the new circuit design to control a voltage of floating N-Well.
The design of proposed circuit makes floating N-well bias same voltages with drain if source voltage is equal to drain (general operation), lower than drain (tolerant input), or zero voltage(fail-safe). Because, N-Well bias tends to follow drain voltage regardless of source voltage.
Thus, The proposed circuit prevents from leakage path and reliability failure that occurs when the voltage is not acceptable at N/PMOS`s circuitry.
The operation and characterize of proposed circuit were verified using SPICE simulation with DongBu Hitek 0.11um process.
The design of proposed circuit makes floating N-well bias same voltages with drain if source voltage is equal to drain (general operation), lower than drain (tolerant input), or zero voltage(fail-safe). Because, N-Well bias tends to follow drain voltage regardless of source voltage.
Thus, The proposed circuit prevents from leakage path and reliability failure that occurs when the voltage is not acceptable at N/PMOS`s circuitry.
The operation and characterize of proposed circuit were verified using SPICE simulation with DongBu Hitek 0.11um process.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안한 설계 구조 및 특성
Ⅲ. Simulation 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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