지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 53 - 56 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
In this paper, a CMOS bandgap voltage reference that is not sensitive to changes in the external environment is presented. Large OLED display panels need high supply voltage. MOSFET devices with high voltage are sensitive to the output voltage due to the channel length modulation effect. The self-cascode circuit was applied to the bandgap reference circuit. Simulation results show that the maximum output voltage change of the basic circuit is 77mV when the supply voltage is changed from 10.5V to 13.5V, but the proposed circuit change is improved to 0.0422mV. The improved circuit has a low temperature coefficient of $9.1ppm/^{\circ}C$ when changing the temperature from $-40^{\circ}C$ to $140^{\circ}C$. Therefore, the proposed circuit can be used as a reference voltage source for circuits that require a high supply voltage.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
Leung K. N. / 2002 / A sub-1-V 15-ppm/℃CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device / IEEE J. Solid-State Circuits 37(4):526~529
Malcovati, P. / 2001 / Curvature-compensated BiCMOS bnadap with 1-V supply voltage / IEEE J. Solid-State Circuits 36(7):1076~1081
Banba, H. / 1999 / A CMOS bandgap voltage reference circuit with sub-1-V operation / IEEE J. Solid-State Circuits 34(5):670~674
Giustolisi, G. / 2003 / A low-voltage low-power voltage reference based on subthreshold MOSFETs / IEEE J. Solid-State Circuits 38(1):151~154
Yuki, N. / 2016 / Gate voltage dependence of channel length modulation for 14 nm FinFETs / IEEE International Meeting for Future of Electron Devices
Malcovati, P. / 2001 / Curvature-compensated BiCMOS bnadap with 1-V supply voltage / IEEE J. Solid-State Circuits 36(7):1076~1081
Banba, H. / 1999 / A CMOS bandgap voltage reference circuit with sub-1-V operation / IEEE J. Solid-State Circuits 34(5):670~674
Giustolisi, G. / 2003 / A low-voltage low-power voltage reference based on subthreshold MOSFETs / IEEE J. Solid-State Circuits 38(1):151~154
Yuki, N. / 2016 / Gate voltage dependence of channel length modulation for 14 nm FinFETs / IEEE International Meeting for Future of Electron Devices
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
n-채널 OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 OLED 화소회로
한국정보전자통신기술학회 논문지
2022 .06
-
OLED 구동전압 최적화를 통한 소비전력 감소 방안 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2015 .05
-
교류 음 전압에 따른 형광 OLED의 전계 발광 특성
한국표면공학회지
2019 .04
-
문턱 전압 보상이 가능한 OLED 화소 회로
대한전기학회 학술대회 논문집
2020 .07
-
교류 순방향 바이어스에 따른 형광 OLED의 전계 발광 특성
한국표면공학회지
2017 .10
-
교류구동방식에 의한 형광 OLED의 주파수 응답 특성
전기전자재료학회논문지
2019 .01
-
K-Display 2022 - LG디스플레이, OLED.EX, 투명 OLED 등 혁신 기술 선보이다
전자기술
2022 .09
-
A Bandgap Reference Circuit with Feedback Loop for Decrement of Effects from PVT Variations
전자공학회논문지
2023 .02
-
조명용 OLED 패널의 성능측정방법에 관한 연구
한국조명·전기설비학회 학술대회논문집
2016 .05
-
정적 전류가 흐르지 않는 Start-up 회로를 이용한 밴드 갭 레퍼런스 회로 구현
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
OLED디스플레이 시스템에 대한 안전성평가
항공우주시스템공학회 학술행사 논문집
2023 .10
-
A Sub 1 V New Bandgap Reference Circuit with PSRR of -120dB
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
-
Accurate Sub-1 V CMOS Bandgap Voltage Reference with PSRR of -118 ㏈
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .08
-
Sub-1V 밴드갭 기준 전압 생성 회로의 Noise 분석
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
Analysis and design of voltage doubling rectifier circuit for power supply of neutron source device towards BNCT
Nuclear Engineering and Technology
2024 .06
-
LED 보상 및 문턱전압 보상이 가능한 OLED 화소회로
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .07
-
형태가변형 OLED: 초박막 고유연 OLED와 스트레쳐블 OLED의 구현 및 엔지니어링
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2022 .10
-
저전력 및 초소형 CMOS-only Bandgap Voltage Reference
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
일반 조명용 OLED 성능측정 방법에 관한 연구
한국조명·전기설비학회 학술대회논문집
2015 .11
-
낮은 전원전압 민감도를 가지는 셀프 캐스코드 구조를 이용한 밴드갭 레퍼런스
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0