Operational Characteristics of Superconducting Amplifier using Vortex Flux Flow

임성훈

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자료유형: 학술저널

저자정보: 임성훈

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제6호

발행연도: 2008.1

수록면: 260 - 264 (5page)

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The operational characteristics of superconducting amplifier using vortex flux flow were analyzed from an equivalent circuit in which its current-voltage characteristics for the vortex motion in YBCO microbridge were reflected. For the analysis of operation as an amplifier, dc bias operational point for the superconducting amplifier is determined and then ac operational characteristics for the designed superconducting amplifier were investigated. The variation of transresistance, which describes the operational characteristics of superconducting amplifier, was estimated with respect to conditions of dc bias. The current and the voltage gains, which can be derived from the circuit for small signal analysis, were calculated at each operational point and compared with the results obtained from the numerical analysis for the small signal circuit. From our paper, the characteristics of amplification for superconducting flux flow transistor (SFFT) could be confirmed. The development of the superconducting amplifier applicable to various devices is expected.

#Superconducting amplifier #Vortex flux flow #Vortex motion #Transresistance #Superconducting flux flow transistor #SFFT)

참고문헌 (8)

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E. Zeldov / 1990 / Flux creep characteristics in high-temperature superconductors / Appl. Phys. Lett 56 : 680 ~

H.G. Kang / 2003 / Superconducting flux-flow transistor using plasma etching / J. of KIEEME(in Korean) 16 (5) : 424 ~

J. S. Martens / 1993 / Superconducting flux flow digital circuits / IEEE Trans. Electron. Devices 40 (3) : 656 ~

K. Miyahara / 1994 / Vortex flow characteristics of high-Tc flux flow transistors / J. Appl. Phys 75 (1) : 404 ~

M. Pannetier / 1999 / Determination of vortex motion characteristics, effective thickness and dynamic resistance in very thin YBaCuO bilayer structures / IEEE Trans. on Appl.

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