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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제3호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 93 - 97 (5page)
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Structural and optoelectronic properties of as-synthesized SnO2 nanowires were examined in this study. The SnO2 nanowires were first synthesized by thermal evaporation of ball-milled SnO2 powders in argon atmosphere without the presence of any catalysts, and their structural properties are then investigated by X-ray diffraction, Raman scattering, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. This investigation revealed that the synthesized SnO2 nanowires are single-crystalline and that their growth direction is parallel to the [100] direction. In addition, photoresponse of a single SnO2 nanowire was performed with light with above-gap energy, and different characteristics of photoresponses were obtained for the nanowire at ambient atmosphere and in vacuum. The photoresponse mechanism is briefly discussed in this paper.
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/ 1986. / The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors 58 : 739 ~
/ 1993. / Electrical and optical characterization of Sb s 8 (2) : 3131 ~
/ 1997. / Grain size effects on H2 gas sensitivity of thick film resistor using SnO2 nanoparticles 295 : 271 ~
/ 1997. / Microstructure change of nano-SnO2 grain assemblages with the annealing temperature 55 : 2666 ~
/ 2001. / Nanobelts of Semiconducting Oxides 291 : 1947 ~
/ 1993. / Electrical and optical characterization of Sb s 8 (2) : 3131 ~
/ 1997. / Grain size effects on H2 gas sensitivity of thick film resistor using SnO2 nanoparticles 295 : 271 ~
/ 1997. / Microstructure change of nano-SnO2 grain assemblages with the annealing temperature 55 : 2666 ~
/ 2001. / Nanobelts of Semiconducting Oxides 291 : 1947 ~
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