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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제9호
발행연도
2005.1
수록면
793 - 797 (5page)

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This study introduces Electro-chemical Mechanical Deposition(ECMD) for making Cu interconnect. ECMD is a novel technique that has ability to deposit planar conductive films on non-planar substrate surfaces. Technique involves electrochemical deposition(ECD) and mechanical sweeping of the substrate surface. Preferential deposition into the cavities on the substrate surface may be achieved through two difference mechanisms. The first mechanism is more chemical and essential. It involves enhancing deposition into the cavities where mechanical sweeping does not reach. The second mechanism involves reducing deposition onto surface that is swept. In this study, we demonstrate ECMD process and characteristic. We proceeded this experiment by changing of distribution of current density on divided wafer area zones and use different pad types.
#ECMD #electro-chemical mechanical deposition) #Cu #Mechanism

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참고문헌 (8)

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/ 1999. / Automated Chemical Management for Production Copper Electro- plating : 11273 ~ google schola / 1999. / Modeling of uniformity and scale-up in a 300 mm copper electroplating tool 99-2 (abstract 900) : 900 ~ google schola / 2001. / 전기구리도금에 미치는 Mercapto화합물의 전기화학적 특성 4 (4) : 160 ~ google schola / 2002. / Electrochemical mechanical deposition technique for semiconductor interconnect applications 64 iss. 1-4 : 42 ~ google schola / 2003. / Sympo- sium on Metallization in semiconductor device fabrication : 192 ~ google schola

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