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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 1,037 - 1,043 (7page)
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We report the enhancement of hole injection using ozone-treated Ag nanodots dispersed on indium tin oxide anode in Ir(ppy)3-doped phosphorescent OLED. Phosphorescent OLED fabricated on Ag nanodots dispersed ITO anode showed a lower turn on voltage and higher luminescence than those of OLEDs prepared commercial ITO anode. Synchrotron x-ray scattering examination results showed that the Ag nanodots dispersed on ITO anode is amorphous structure due to low deposition temperature. It was thought that decrease of the energy barrier height as Ag nanodots changed to AgOx nanodots by surface treatment using ozone for 10 min led to enhancement of hole injection in phosphorescent OLED. Futhermore, efficient hole injection can be explained by increase of contact region between anode material and organic material through introduction of Ag2O nanodots.
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/ 1978. / Relation between an atomic electronegativity scale and the work function 22 : 72 ~
/ 1990. / Electronic structure of Ag2O 41 : 3190 ~
/ 1997. / Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment An effective method to improve the efficiency and reliability of organic light emitting devices 70 : 13
/ 1999. / Characterization of treated indium-tin- oxide surfaces used in electroluminescent devices 86 : 1688 ~
/ 1999. / Indium tin oxide thin films for organic light-emitting devices 74 : 3444 ~
/ 1990. / Electronic structure of Ag2O 41 : 3190 ~
/ 1997. / Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment An effective method to improve the efficiency and reliability of organic light emitting devices 70 : 13
/ 1999. / Characterization of treated indium-tin- oxide surfaces used in electroluminescent devices 86 : 1688 ~
/ 1999. / Indium tin oxide thin films for organic light-emitting devices 74 : 3444 ~
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