AlAs / GaAs 공진 투과 소자 제작과 특성 연구 ( Fabrication of AlAs / GaAs Resonant Tunneling Device and Study of its Characteristics )

지정근 ,  홍창희 ,  공명국 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

실온에서의 GaAs / AlAs 이중 장벽 구조의 공명 투과 ( The Resonant Tunneling of GaAs / AlAs Double Barrier Structure at Room Temperature )

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

Photoreflectance Measurement in Si₃N₄/Al_0.21Ga_0.79As/GaAs Heterostructure

Jae-In Yu ,  Hun-Bo Pa ,  k 외 3명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .04

GaAs/$Al_{x}Ga_{1-x}As$/GaAs 이종구조 위에 구성된 Schottky 다이오드의 전기적 특성에 관한 연구

최영환 ,  이원섭 ,  최광수

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

높은 전류밀도를 갖는 개선된 GaAs / AlAs 공명투과 소자 제작과 그의 디지털 및 신호처리 회로에의 응용에 관한 연구 ( Improved Design of GaAs / AlAs Resonant Tunneling Diodes With High Current Density and Its Digital and Signal Processing Applications with Reduced Circuit Complexity )

오재응 ,  오원웅 ,  유성룡 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE로 성장된 $In_{x}Ga_{1-x}As/GaAs(001)$ 이종접합구조의 격자이완에 관한 연구

김창수 ,  노삼규 ,  임재영 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

Investigation of Al_xGa_1-xAs/GaAs Heterostructure by Annealing at 300~800℃

Jae-In Yu ,  Hun-Bo Pa ,  k 외 4명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .10

980nm VCSEL을 위한 GaAs/AlAs DBR 반사경의 MBE 성장

장기수 ,  송진동 ,  김종민 외 2명

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

InGaAs / AlAs 3중장벽 공명 터널링 다이오드에서 개별 에너지 레벨에 의한 공명현상 ( Observation of Resonances by Individual Energy Levels in InGaAs / AlAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes )

김성일 ,  신지연 ,  조중열

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

GaAs 모재 위에 성장시킨 AlAs/GaAs 초격자의 간단한 구조 분석과 비이상적인 구조 특성

김창수 ,  노삼규 ,  이주인 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE를 이용한 GaAs Quantum Well FET 제작 ( Fabrication of GaAs Quantum Well FET using MBE )

조승기 ,  주영도 ,  임병호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01