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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제5호
발행연도
2004.1
수록면
526 - 529 (4page)

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The nematic liquid crystal(NLC) aligning capabilities using a-C:H thin film deposited at the three kinds of rf bias condition were investigated. A high pretilt angle of NLC on low substrate rf bias applied a-C:H thin films was observed and the low pretilt angle of the NLC on high substrate rf bias applied a-C:H thin films was observed. Consequently, the high NLC pretilt angle and the good aligning capabilities of LC alignment by the IB alignment method on the a-C:H thin film deposited at 1W rf bias condition can be achieved. It is considered that pretilt angle of the NLC may be attributed to substrate rf bias condition and IB energy time. Therefore, LC alignment is affected by topographical structure forming strong IB energy.

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