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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 1,301 - 1,307 (7page)
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Reduced pressure chemical vapor deposition(RPCVD) technology has been investigated for the growth of SiGe epitaxial films with two dimensional in-situ doped boron impurities. The two dimensional -doped impurities can supply high mobility carriers into the channel of SiGe heterostructure MOSFETs(HMOS). Process parameters including substrate temperature, flow rate of dopant gas, and structure of epitaxial layers presented significant influence on the shape of two dimensional dopant distribution. Weak bonds of germanium hydrides could promote high incorporation efficiency of boron atoms on film surface. Meanwhile the negligible diffusion coefficient in SiGe prohibits the dispersion of boron atoms: that is, very sharp, well defined two-dimensional doping could be obtained within a few atomic layers. Peak concentration and full-width-at-half-maximum of boron profiles in SiGe could be achieved in the range of 1018-1020 cm-3 and below 5 nm, respectively. These experimental results suggest that the present method is particularly suitable for HMOS devices requiring a high-precision channel for superior performance in terms of operation speed and noise levels to the present conventional CMOS technology.
목차
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/ 2000. / Properties of Silicon Germanium and SiGe:Carbon : 327 ~
/ 2002. / High Transconductance Modulation- doped SiGe pMOSFETs by RPCVD 38 (23) : 1497 ~
/ 2003. / DC and RF Characteristics of SiGe pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise 25 (3) : 203 ~
/ 2003. / SiGe 반도체 기술 동향 분석
/ 2003. / 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작 16 (9) : 765 ~
/ 2002. / High Transconductance Modulation- doped SiGe pMOSFETs by RPCVD 38 (23) : 1497 ~
/ 2003. / DC and RF Characteristics of SiGe pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise 25 (3) : 203 ~
/ 2003. / SiGe 반도체 기술 동향 분석
/ 2003. / 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작 16 (9) : 765 ~
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