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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제5호
발행연도
2005.1
수록면
450 - 456 (7page)

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In this paper, the effect of adhesion properties of semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber on electrical properties was investigated. The modifications produced on the silicone surface by oxygen plasma were accessed using ATR-FTIR, contact angle and Surface Roughness Tester. Adhesion was obtained from T-peel tests of semiconductive layer having different treatment durations. In addition, ac breakdown test was carried out for elucidating the change of electrical property with duration of plasma treatment. From the results, the treatment in the oxygen plasma produced a noticeable increase in surface energy, which can be mainly ascribed to the creation of O-H and C=O. It is observed that adhesion performance was determined by surface energy and roughness level of silicone surface. It is found that ac dielectric strength was increased with improving the adhesion between the semiconductive and insulating interface.

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