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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
153 - 157 (5page)

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In this work, the effects of plasma treatment on surface properties of semiconductive silicone rubber were investigated in terms of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and contact angles. The adhesion characteristics of semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber were studied by measuring the T-peel strengths. The results of the chemical analysis showed that C-H bonds were broken due to plasma discharge and Silica-like bonds(SiOx, x=3～4) increased. It is thought that semiconductive silicone rubber surfaces treated with plasma discharge led to an increase in oxygen-containing functional groups, resulting in improving the degree of adhesion of the semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber. However, the oxygen plama for 20 minute produces a damaged oxidized semiconductive silicone rubber layer, which acts as a weak layer producing a decrease in T-peel strength. These results are probably due to the modifications of surface functional groups or polar component of surface free energy of the semiconductive silicone rubber.
#Plasma treatment #Interface #Surface energy #Silicone rubber

목차

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참고문헌 (8)

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/ 1982. / Polymer Interface and Adhesion : 138 ~ google schola / 1987. / Electrical Properties of Polymer Chemical Principles : 200 ~ google schola / 1998. / Surface characterization of synthetic vulcanized rubber treated with oxygen plasma 26 : 385 ~ google schola / 1999. / Hydrophobicity changes in silicone rubber 6 (5) : 710 ~ google schola / 1999. / Outdoor HV compsite polymeric insulators 6 (5) : 557 ~ google schola

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