Ultrathin-body SOI MOSFETs에서 면방향에 따른 정공의 이동도 증가

김관수; 조원주

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김관수 조원주

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제11호

발행연도: 2007.1

수록면: 939 - 942 (4page)

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We investigated the characteristics of UTB-SOI pMOSFETs with SOI thickness (TSOI) ranging from 10 nm to 1 nm and evaluated the dependence of electrical characteristics on the silicon surface orientation. As a result, it is found that the subthreshold characteristics of (100)-surface UTB-SOI pMOSFETs were superior to (110)-surface. However, the hole mobility of (110)-surface were larger than that of (100)-surface. Especially, the enhancement of effective hole mobility at the effective field of 0.1 MV/cm was observed from 3-nm to 5-nm SOI thickness range.

#Ultrathin-body #SOI #Hole mobility enhancement #Quantum confinement effect

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G. Tsutusi / 2005 / Experimental study on superior mobility in (110)-oriented UTB SOI pMOSFETs / IEEE Electron Device Letters 26 (11) : 836 ~

H. Nakamura / 2004 / Effects of selecting channel direction in improving performance of sub-100 nm MOSFETs fabricated on (110) surface si substrate / JJAP 43 (4B) : 1723 ~

H. Shang / 2005 / Mobility and CMOS Device/ Circuits on sub-10 nm Ultra Thin Body SOI / Symposium on VLSI Technology Digest : 78 ~

J. Welser / 1994 / Strain Dependence of the Performance Enhancement in Strained-Si n-MOSFETs / IEDM : 373 ~

K. Uchida / 2003 / Experimental Study on Carrier Transport Mechanism in Ultrathin-body SOI MOSFETs / SISPAD : 8 ~

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