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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제12호
발행연도
2005.1
수록면
1,069 - 1,074 (6page)

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In this work, nano-needle structures are formed to solve problem, related to low density of quantum dots for nano floating gate memory. Such structures are fabricated and electrical properties of MIS devices fabricated on the nano-structures are studied. Nano floating gate memory based on quantum dot technologies is a promising candidate for future non-volatile memory devices. Nano-structure is fabricated by reactive ion etching using SF6 and O2 gases in parallel RF plasma reactor. Surface morphology was investigated after etching using scanning electron microscopy. Uniform and packed deep nano-needle structure is established under optimized condition. Photoluminescence and capacitance-voltage characteristics were measured in Al/SiO2/Si with nano-needle structure of silicon. we have demonstrated that the nano-needle structure can be applicable to non-volatile memory device with increased charge storage capacity over planar structures.
#Floating gate #Nano-needle #Reactive ion etching #MIS.

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참고문헌 (9)

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/ 1984. / Endurance model for textured poly floating gate memories : 480 ~ 177 google schola / 1995. / The effect of mask material and loading on the reactive ion etching of deep silicon trenches 27 : 475 ~ google schola / 1998. / Nonvolatile Semiconductor Memory Technology : 156 ~ google schola / 1998. / Plasma Etching : 180 ~ google schola / 2000. / FinFET - A self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm IEEE Transactions on Electron Devices 47 : 2320 ~ google schola

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