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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 325 - 327 (3page)
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실리콘 기판위에서 ZnO 나노선과 Al 나노입자 이용하여 nano-floating gate 메모리 소자를 제작하고, 그 특성을 분석하였다. ZnO 나노선을 채널층으로 이용하였으며, 전하저장층으로 Al 나노입자를 스퍼터링 방식을 이용하여 형성하였다. 또한, Al2O3 터널링/컨트롤 옥사이드 층을 원자층 증착법을 이용하여 증착하였다. 제작된 소자는 약 1.5 V 의 메모리 윈도우를 가졌으며, 메모리 소자로서의 신뢰성과 지속성을 분석하였다.
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