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자료유형
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저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제15권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
1 - 6 (6page)

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We fabricated Si nano-wire MOSFET by using the conventional photolithography with a 1.5m resolution. Si nano-wire was fabricated by using reactive ion etching (RIE), anisotropic wet etching and thermal oxidation on a silicon-on-insulator (SOI) substrate, and its width is 30nm. Logarithmic circuit consisting of a NMOSFET and Si nano-wire MOSFET has been constructed for application to high-sensitivity image sensor. Its sensitivity was 1.12mV/lux. The output voltage swing was 1.386 V.
#MOSFET #photodetector #silicon nano-wire

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/ 1996. / High-sensitivity SOI MOS photodetector with self-amplification 35 : 1382 ~ 1386 google schola / 1997. / Phototransistor using point contact structures 36 : 1955 ~ 1957 google schola / 2000. / A silicon quantum wire transistor with one-dimensional subband effects 44 : 2207 ~ 2212 google schola / 2000. / Experimental evidence for quantum mechanical narrow channel effect in ultra-narrow MOSFET's 21 (8) : 396 ~ 398 google schola / 2000. / High gain gate/body tied NMOSFET photo-detector on SOI Substrate for low power application 44 : 535 ~ 540 google schola

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