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In order to design SOI CMOS image sensors, SOI MOSFET model parameters were extracted using the equation of bulk MOSFET model parameters and were optimized using SPICE level 2. Simulated I-V characteristics of the SOI NMOSFET using the extracted model parameters were compared to the experimental I-V characteristics of the fabricated SOI NMOSFET. The simulation results agreed well with experimental results. A unit pixel for SOI CMOS image sensors was designed and was simulated for the PPS, APS, and logarithmic circuit using the extracted model parameters. In these CMOS image sensors, a nano-wire MOSFET photodetector was used. The output voltage levels of the PPS and APS are well-defined as the photocurrent varied. It is confirmed that SOI CMOS image sensors are faster than bulk CMOS image sensors.
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/ / A complete model of the I-V characteristics for narrow-gate MOSFET's 37 (4) : 1020 1990 ~ 1030
/ 1996. / Random addressable active pixel image sensors Proc. of SPIE Advanced Focal Plane Arrays and Electronic Cameras
/ 1997. / IEEE Transaction on Electron Device 44 : 1689 ~ 1698
/ 1997. / Materials to VLSI : 1 ~ 5
/ 2001. / A low voltage hybrid bulk/SOI CMOS active pixel image sensor 22 (5) : 248 ~ 250
/ 1996. / Random addressable active pixel image sensors Proc. of SPIE Advanced Focal Plane Arrays and Electronic Cameras
/ 1997. / IEEE Transaction on Electron Device 44 : 1689 ~ 1698
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