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We have fabricated the Pd-black/NiCr gate MISFET-type H2 sensor to detect the hydrogen in atmosphere. A differential pair-type structure was used to minimize the intrinsic voltage drift of the MISFET. The Pd-black film was deposited in the argon environment by thermal evaporation. In order to eliminate the blister formation in the surface of the hydrogen sensing gate metal, Pd-black/NiCr double metal layer was deposited on the gate insulator. The scanning electron microscopy and the auger electron spectroscopy was used to analyze their surface morphology and basic structure. The Pd-black/NiCr gate MISFET has been shown high sensitivity and stability more than Pd-planar/NiCr gate MISFET.
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/ 1951. / Low angle X-ray diffraction of colloidal gold and carbon black 72 : 1 ~ 7
/ 1984. / The influence of different insulators on palladium gate metal insulator semiconductor hydrogen sensors ed-31 : 508 ~ 510
/ 1985. / Low drift Pd/Pt gate MISFET hydrogen sensor (313)
/ 1986. / Stabilization of MISFET hydrogen sensors 9 : 353 ~ 361
/ 1987. / Thin metal film-oxide-semiconductor structures with temperature-dependent sensitivity for unsaturated hydrocarbons 12 : 255 ~ 261
/ 1984. / The influence of different insulators on palladium gate metal insulator semiconductor hydrogen sensors ed-31 : 508 ~ 510
/ 1985. / Low drift Pd/Pt gate MISFET hydrogen sensor (313)
/ 1986. / Stabilization of MISFET hydrogen sensors 9 : 353 ~ 361
/ 1987. / Thin metal film-oxide-semiconductor structures with temperature-dependent sensitivity for unsaturated hydrocarbons 12 : 255 ~ 261
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