FABRICATION OF GaAs MISFETS USING FLUORIDE INSULATOR FILMS

Kwang Ho Kim ,  Hi ,  oshi Ishiwa 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

전력용 GaAs MESFET와 MISFET의 제작에 관한 연구 ( A Study on Fabrication of the GaAs Power MESFETs and MISFETs )

김상명 ,  이일형 ,  조승기 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

유화처리와 광 CVD 법 질화인막을 이용한 GaAs MISFET 특성 ( Characteristics of Sulfide Treated GaAs MISFETs with Photo - CVD Grown P3N5 Gate Insulators )

최기환 ,  조성규 ,  정윤하

전자공학회논문지-A

1994 .09

Pd-black 촉매금속 이용한 고성능 MISFET 형 수소센서

최시영 ,  한상도 ,  조용수 외 1명

센서학회지

2006 .01

유화처리와 광 CVD법으로 성장시킨 질화인막을 이용한 증가형 InP MISFETs 의 특성

조성규 ,  이봉훈 ,  박종철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Al2O3 절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조 ( Fabrication of a depletion mode n-channel GaAs MOSFET using Al2O3 as a gate insulator )

전본근 ,  이석헌 ,  이정희 외 1명

전자공학회논문지-SD

2000 .01

저온 CVD PN-InP MISFETs

정윤하

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

저온 CVD PN-InP MISFETs ( Low-temperature CVD PN-InP MISFETs )

정윤하

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

초고진공 프로세스에 의해 제작된 Al/CaF₂/Diamond MISFET의 개선된 전기적 특성과 인버터회로에의 응용

윤영

한국전자파학회논문지

2003 .05

풀라즈마 양극산화법에 의한 Al₂O₃/Inp 게이트절연막을 가진 Inp MISFET의 제작

박형무 ,  권영세

대한전기학회 학술대회 논문집

1982 .07

Enhancement-mode AlGaN/GaN MISFET Using CF4 Plasma Gate Recess

Young ,  ak Pa ,  k 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

[포스터] Gate-connected Field Plate를 포함하는 Normally-off AlGaN/AlN/GaN MISFET 특성 연구

안호균 ,  배성범 ,  장우진 외 9명

대한전자공학회 학술대회

2013 .07

HgCdTe-MISFET Fabrication and 2-D Subband Quantization

C. H. Lee ,  S. W. Pa ,  k 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성

이세정 ,  홍종성 ,  이창우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

박막트랜지스터 게이트 절연막 응용을 위한 불화막 특성연구

김도영 ,  최석원 ,  이준신

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11

GaAs Technology

김철규

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

박막트랜지스터 게이트 절연막 응용을 위한 불화막 특성연구

金度榮 ,  崔碩元 ,  安炳宰 외 1명

전기학회논문지 C

1999 .12

Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향

신동원 ,  박찬경 ,  곽준섭 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

Improved Breakdown Voltage Characteristics of In_0.5Ga_0.5P/In_0.22Ga_0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate

I-H. Kang ,  J-W. Lee ,  S-J. Kang 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06