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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.5
- 수록면
- 536 - 541 (6page)
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본 논문에서는 다이이몬드 표면에의 산소흡착을 억제함으로써 양호한 전기적특성을 가지는 다이아몬드 MISFET를 제작하기 위해 초고진공 프로세스(ultrahigh vacuum process)에 의해 Al/CaF₂/diamond MISFET를 제작하였다. 박막반도체 다이아몬드의 표면도전층으로서는 불소종단에 의해 형성되는 표면 도전층을 이용하였다. 초고진공 프로세스에 의해 제작된 Al/CaF₂/diamond MISFET로부터 상용화된 실리콘 MOSFET와 동등한 레벨인~10¹¹/㎠ eV의 저농도의 표면준위밀도가 관측되었고, 유효이동도 μ
e??는 이제까지 발표된 박막반도체 다이아몬드 FFT중 최고치인 300 ㎠/Vs 이었다. 본 논문에서는 또한 초고진공 프로세스에 의해 제작된 Al/CaF₂/diamond MISFET를 이용하여 인버터회로(Inverter circuit)를 제작하였으며, 고온고주파 환경에서 양호한 전기적 특성을 관찰하였다. 본 논문의 특징은 초고진공 프로세스에 의해 제작된 불소화 다이아몬드 박막반도체 MISFET에 관한 최초의 보고이며, 또한 다이이몬드 박막반도체 MISFET의 인버터회로(inverter circuit)동작에 관한 최초의 보고이다.
e??는 이제까지 발표된 박막반도체 다이아몬드 FFT중 최고치인 300 ㎠/Vs 이었다. 본 논문에서는 또한 초고진공 프로세스에 의해 제작된 Al/CaF₂/diamond MISFET를 이용하여 인버터회로(Inverter circuit)를 제작하였으며, 고온고주파 환경에서 양호한 전기적 특성을 관찰하였다. 본 논문의 특징은 초고진공 프로세스에 의해 제작된 불소화 다이아몬드 박막반도체 MISFET에 관한 최초의 보고이며, 또한 다이이몬드 박막반도체 MISFET의 인버터회로(inverter circuit)동작에 관한 최초의 보고이다.
목차
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 본 론
Ⅲ. 결 론
참 고 문 헌
참고문헌 (0)
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