지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
초록· 키워드
오류제보하기
A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetector (PD) is proposed as an effective UV sensing device
for integration with a GaN n-channel MISFET on auto-doped p-type GaN grown on a silicon substrate. Due to the high
hole barrier of the metal-p-GaN contact, the dark current density of the fabricated MSM PD was less than 3 nA/cm2 at
a bias of up to 5 V. Meanwhile, the UV/visible rejection ratio was 400 and the cutoff wavelength of the spectral responsivity
was 365 nm. However, the UV/visible ratio was limited by the sub-bandgap response, which was attributed to defectrelated
deep traps in the p-GaN layer of the MSM PD. In conclusion, an MSM PD has a high process compatibility with
the n-channel GaN Schottky barrier MISFET fabrication process and epitaxy on a silicon substrate.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
C. K. Wang / 2006 / GaN MSM UV photodetectors with titanium tungsten transparent electrodes / IEEE. Trans. Electron. Dev 53 (1) : 38 ~ 42
H.-B. Lee / 2006 / A normally off GaN n-MOSFET with schottky-barrier source and drain on a Si-auto-doped p-GaN/Si / IEEE Electron Device Lett 27 (8) : 81 ~ 83
H.-I. Cho / 2007 / Amphoteric behavior of impurities in GaN film grown on Si substrate / Jpn. J. Appl. Phys 46 (18) : L423 ~ L426
M. L. Lee / 2004 / Reduction of dark current in AlGaN-GaN schottky-barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer / IEEE Electron Device Lett 25 (9) : 593
N. Biyikli / 2004 / Solar-blind AlGaN-Based p-i-n photodiodes with low dark current and high detectivity / IEEE Photon. Technol. Lett 16 (7) : 1718 ~ 1720
H.-B. Lee / 2006 / A normally off GaN n-MOSFET with schottky-barrier source and drain on a Si-auto-doped p-GaN/Si / IEEE Electron Device Lett 27 (8) : 81 ~ 83
H.-I. Cho / 2007 / Amphoteric behavior of impurities in GaN film grown on Si substrate / Jpn. J. Appl. Phys 46 (18) : L423 ~ L426
M. L. Lee / 2004 / Reduction of dark current in AlGaN-GaN schottky-barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer / IEEE Electron Device Lett 25 (9) : 593
N. Biyikli / 2004 / Solar-blind AlGaN-Based p-i-n photodiodes with low dark current and high detectivity / IEEE Photon. Technol. Lett 16 (7) : 1718 ~ 1720
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
GaN-based Ultraviolet Passive Pixel Sensor for UV Imager
센서학회지
2019 .01
-
폴리 실리콘을 이용한 금속-반도체-금속 광 검출기의 열처리에 따른 전기적 특성
한국재료학회지
2018 .01
-
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
-
UV 레이저에 의한 GaN와 사파이어 계면의 접착력 변화
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2015 .12
-
Surface Passivation Method for GaN UV Photodetectors UsingOxygen Annealing Treatment
센서학회지
2016 .01
-
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
Two Dimensional Simulation of Characteristics for In0.53Ga0.47As MSM Photodetectors
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
-
매우 낮은 암전류 특성을 나타내는 Metal-Semiconductor-Metal Photodetector ( Metal-Semiconductor-Metal ( MSM ) Photodetector ( PD ) with Very Small Dark Current )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1996 .01
-
매우 낮은 암전류 특성을 나타내는 Metal-Semiconductor-Metal Photodetector ( Metal-Semiconductor-Metal ( MSM ) photodetector ( PD ) with Very Small Dark Current )
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
GAN 기반 이미지 생성 모델 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2020 .07
-
Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Strain-free AlGaN/GaN 자외선 센서용 나노선 소자 연구
화학공학
2012 .01
-
Generation of Artificial Images/Videos of Natural Disaster Using GAN
제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집
2020 .07
-
GaN 분말의 승화에 의한 Bulk GaN 성장
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구
한국재료학회지
1999 .01
-
Cascode-GaN과 p-GaN의 동작 특성 및 설계 요소 분석
전력전자학회 학술대회 논문집
2015 .11
-
에피구조(GaN-on-Si and GaN-on-s.i.SiC)에 따른 GaN 전력반도체 MISHEMT 소자의 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
UV Responsive Characteristics of n-Channel Schottky Barrier MOSFET with ITO as Source/Drain Contacts
센서학회지
2011 .01
-
고농도의 Mg가 도핑된 GaN층을 이용한 GaN계 청자색 레이저다이오드의 동작 전압 감소
전기전자재료학회논문지
2004 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0