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The films of indium oxide (In2O3) were deposited onto SiO2 coated Si wafers by a thermal evaporation method. Substrate temperature was varied from 25oC to 300oC. Deposition rate increased to 250oC and then decreased rapidly. The crystallographic properties and surface morphologies of the films were investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM), respectively. The films deposited at 250oC were found to have a nanobelt structure. Resistor-type gas-sensors were fabricated with In2O3 films using Pt as electrodes. The resistance variation of In2O3 films with the concentration of NO gas was measured. The In2O3 films deposited at 250oC showed the highest sensitivity to the NO gas.
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B.-C. Kim / 2003. / Effects of crystal structures on gas sensing properties of nanocrystalline ITO thick films 89 : 180 ~ 186
E. Comini / 2000. / Light enhanced gas sensing properties of indium oxide and tin dioxide 65 : 260 ~ 263
H. Steffes / 2000. / Fabrication parameters and NO sensitivity of reactively RF-sputtered In2O3 thin films 68 : 249 ~ 253
J. C. Jiang / 2002 / Influence of oxygen plasma treatment on the microstructure of SnOx thin films 411 : 203 ~ 210
J.-H. Park / 2006. / Colorimetric assay for a fast parallel screening of NOx storage 241 (2) : 470 ~ 474
E. Comini / 2000. / Light enhanced gas sensing properties of indium oxide and tin dioxide 65 : 260 ~ 263
H. Steffes / 2000. / Fabrication parameters and NO sensitivity of reactively RF-sputtered In2O3 thin films 68 : 249 ~ 253
J. C. Jiang / 2002 / Influence of oxygen plasma treatment on the microstructure of SnOx thin films 411 : 203 ~ 210
J.-H. Park / 2006. / Colorimetric assay for a fast parallel screening of NOx storage 241 (2) : 470 ~ 474
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