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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제8호
발행연도
2003.1
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MoO3 thin films were deposited on electrode of alumina substrates in O2 atmosphere by RF reactive sputtering using molybdenum metal target. The deposition was performed at 300 ℃ with 350 W of a forward power in an Ar-O2 atmosphere. The working pressure was maintained at 3×10-2 torr and all deposited films were annealed at 500 ℃ for 5 hours. The surface morphology of films was observed by using a SEM and crystalline phases were analyzed by using a XRD. To investigate gas sensing characteristics of the doped MoO3 thin film, Co, Ni and Pt were used as dopants. The sensing properties were investigated in term of gas concentration under exposure of reducing gases such as H2, NH3 and CO at optimum working temperature. Co-doped MoO3 thin film shows the maximum 46.8 % of sensitivity in NH3 and Ni-doped MoO3 thin film exhibits 49.7 % of sensitivity in H2.
#MoO3 #gas sensor #reducing gases #sensitivity #dopant

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