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In this paper, an analysis of the complementary CMOS active pixel and readout circuit is carried out. Complementary pixel structure which is different from conventional 3TR APS structure consists of photo diode, reset PMOS, several NMOSs and PMOSs sets for complementary signals. Proposed CMOS image sensors pixel has been fabricated using 0.5 standard CMOS process. Measured results show that the output signal range is from 0.8 V to 3.8 V. This output signal range increased 125 % compared to conventional 3TR pixel in the condition of 5 V power supply.
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B. Ackland / 1996 / Camera on a chip / Solid-State Circuit Conference, 1996. Digest of Technical Papers. 43 rd ISSCC. : 8 ~ 10
B.S. Carlson / 2002 / Comparison of modern CCD and CMOS image sensor technologies and system for low resolution imaging / Sensors. Proceedings of IEEE 1 : 171 ~ 176
C. Xu / 2001 / A low voltage hybrid bulk/SOI CMOS active pixel image sensor / IEEE J. Solid-State Circuit 22 : 248 ~ 250
Chen Xu / 2002 / A 1.0-V VDD CMOS active-pixel sensor with complementary pixel architecture and pulsewidth modulation fabricated With a 0.25-um CMOS process / IEEE J. Solid-S
E. R. Fossum / 1995 / CMOS image sensors, electronic camera on a chip / IDEM Tech. Dig. : 17 ~ 25
B.S. Carlson / 2002 / Comparison of modern CCD and CMOS image sensor technologies and system for low resolution imaging / Sensors. Proceedings of IEEE 1 : 171 ~ 176
C. Xu / 2001 / A low voltage hybrid bulk/SOI CMOS active pixel image sensor / IEEE J. Solid-State Circuit 22 : 248 ~ 250
Chen Xu / 2002 / A 1.0-V VDD CMOS active-pixel sensor with complementary pixel architecture and pulsewidth modulation fabricated With a 0.25-um CMOS process / IEEE J. Solid-S
E. R. Fossum / 1995 / CMOS image sensors, electronic camera on a chip / IDEM Tech. Dig. : 17 ~ 25
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