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We propose a new image pixel architecture which has OFD(Over Flow Device) node by improving conventional 3TR pixel structure. Newly designed pixel consists of photo diode which is verified with HSPICE simulation, PMOS reset transistor, several NMOS and several PMOS transistors. Photodiode signals from each PMOS and NMOS are detected by Reset PMOS. These output signals give enough chances to detect wide operation coverage because OFD node has overflow photocurrent. According to various light intensity, we analyzed characteristic of the output voltage with a SPICE tool. Proposed pixel output has specific value which can detect possible from 0.1 μW/㎠ to 10 W/cm2 light intensity. It has wide-dynamic range of 160 dB.
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B. Ackland / 1996 / Camera on a chip / Solid-State Circuit Conference, 1996 : 8 ~ 10
B.S. Carlson / 2002 / Comparison of modern CCD and CMOS image sensor technologies and ststem for low resolution imaging / Sensors. Proceedings of IEEE : 171 ~ 176
C. Xu / 2001 / A low voltage hybrid bulk/SOI CMOS active pixel image sensor / IEEE J. Solid-State Circuit 22 : 248 ~ 250
Chen Xu / 2002 / A 1.0-V VDD CMOS active-pixel sensor with complementary pixel architecture and pulsewidth modulation fabricated with a 0.25-m CMOS process / IEEE, and Mansun
E. R. Foss / 1995 / CMOS iamge sensors, electronic camera on a chip / IDEM Tech. Dig. : 17 ~ 25
B.S. Carlson / 2002 / Comparison of modern CCD and CMOS image sensor technologies and ststem for low resolution imaging / Sensors. Proceedings of IEEE : 171 ~ 176
C. Xu / 2001 / A low voltage hybrid bulk/SOI CMOS active pixel image sensor / IEEE J. Solid-State Circuit 22 : 248 ~ 250
Chen Xu / 2002 / A 1.0-V VDD CMOS active-pixel sensor with complementary pixel architecture and pulsewidth modulation fabricated with a 0.25-m CMOS process / IEEE, and Mansun
E. R. Foss / 1995 / CMOS iamge sensors, electronic camera on a chip / IDEM Tech. Dig. : 17 ~ 25
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