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A CMOS active pixel sensor has been designed and fabricated using standard 2-poly and 4-metal 0.35m CMOS processing technology. The CMOS active pixel sensor has been made up of a unit pixel having a highly sensitive PMOSFET photo-detector and electronic shutters that can control the light exposure time to the PMOSFET photo-detector, correlated-double sampling (CDS) circuits, and an 8-bit two-step flash analog to digital converter (ADC) for digital output. This sensor can obtain a stable photo signal in a wide range of light intensity. It can be realized with a special function of an electronic shutter which controls the light exposure-time in the pixel. Moreover, this sensor had obtained the digital output using an embedded ADC for the system integration. The designed and fabricated image sensor has been implemented as a 128128 pixel array. The area of the unit pixel is 7.60m7.85m and its fill factor is about 35%.
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/ / How cameras work
/ 1995. / Principles of data conversion system design
/ 1996 / A 128 ´ 128-pixel standard-CMOS image sensor with electronic shutter 31 (12) : 1996 ~
/ 1997. / CMOS active pixel star tracker with reginal electronic shutter (2) : 285 ~ 288
/ 1998 / Digital camera system on a chip 18 (. 3) : 8 1998 ~ 15
/ 1995. / Principles of data conversion system design
/ 1996 / A 128 ´ 128-pixel standard-CMOS image sensor with electronic shutter 31 (12) : 1996 ~
/ 1997. / CMOS active pixel star tracker with reginal electronic shutter (2) : 285 ~ 288
/ 1998 / Digital camera system on a chip 18 (. 3) : 8 1998 ~ 15
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