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자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제12권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
339 - 343 (5page)

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Pt-SrBi2Nb2O9(SBN)-Pt-Y2O3-Si 게이트 전계효과 트랜지스터 (MFMISFETs)의 정보저장 특성향상을 위하여 SBN 박막을 산소 플라즈마 내에서 급속열처리 하였다. 그 결과 SBN 박막의 결정크기는 700℃의 동일한 열처리조건에서 급속열처리한 SBN 결정립의 크기가 전기로열처리에 의한 SBN 결정립보다 4배이상 성장하였다. 또한 분극 특성을 비교한 결과 잔류분극은 2배이상 급속열처리방법으로 제조된 SBN 박막을 이용한 MFMISFET의 메모리윈도우 (memory window)와 on/off 상태의 정보저장특성 (programming characteristics)은 월등히 향상되었다.
#SBN #MFMISFET #Rapid grain growth #Ferroelectric

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