Interfacial Electrical/Dielectric Characterization in Low TemperaturePolycrystalline Si

황진하

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자료유형: 학술저널

저자정보: 황진하

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제12권 제1호

발행연도: 2005.1

수록면: 77 - 86 (10page)

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Impedance spectroscopy was applied to low temperature polycrystalline Si in order to investigate the electrical/dielectric information in polycrystalline Si. By combined microstructure and impedance spectroscopy works, it was shown that the electrical information is sensitive to the corresponding microstructure, i.e., the grain size and distribution, judged from the capacitance vs. grain size relationship. At 360 mJ/cm2, the maximum in capacitance and the minimum in resistance correspond to the largest grain sizes of unimodal distribution in polycrystalline Si. The electrical/dielectric characterization is compared with Raman spectroscopic characterizations in terms of microstructure.

#Impedance spectroscopy #Electrical/dielectric properties #Polycrystalline #Silicon #Microstructure #Thin Film transistors1. IntroductionLiquid crystal displays #LCDs) possess the dominant position in flat panel technologies #currently. The LCDs have

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/ 19701976 / Capacitance and Field Distributions for Inter-digital Surface-Wave Transducers Impedance and Modulus Spectroscopy of Polycrystalline Electrolytes

/ 1987 / Impedance Spectroscopy

/ 1989 / Electrical Properties of Polycrystalline Nickel Zinc Ferrites 73 (3)

/ 1993 / A Characterization of the Effect of Deposition Temperature on Polysilicon Properties

/ 1993 / Characterization by Impedance Spectroscopy

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