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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 79 - 84 (6page)
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유연전자소자가 외부힘에 의해 변형될 경우 반도체 다이가 기계적 응력 때문에 변형되거나 파괴되고 이러한변형이나 파괴는 channel의 전자이동도를 변화시키거나 배선의 저항을 증가시켜 집적회로의 동작 오류를 발생시킨다. 따라서 반도체 집적회로는 굽힘 변형이 발생해도 기계적 응력이 발생하지 않는 중립축에 위치하는 것이 바람직하다. 본 연구에서는 굽힘변형을 하는 flip-chip 접합공정이 적용된 face-down flexible packaging system에서 중립축의 위치와 파괴모드를 조사하였고 반도체 집적회로와 집중응력이 발생한 곳의 응력을 감소시킬 수 있는 방법을 제시하였다. 이를 위해, 설계인자로 유연기판의 두께 및 소재, 반도체 다이의 두께를 고려하였고 설계인자가 중립축의 위치에 미치는 영향을 조사한 결과 유연기판의 두께가 중립축의 위치를 조절하는데 유용한 설계인자임을 알 수 있었다. 3차원 모델을 이용한 유한요소해석 결과 반도체 다이와 유연기판 사이의 Cu bump 접합부에서 항복응력보다 높은 응력이 인가될 수 있음을 확인하였다. 마지막으로 flexible face-down packaging system에서 반도체 다이와 Cu bump 의 응력을 감소시킬 수 있는 설계 방법을 제안하였다.
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참고문헌 (18)
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T. S. Kim / 2015 / Flexible, Highly Efficient All-polymer Solar Cells / Nature Communications 6:8547
V. M. Marx / 2015 / The Influence of a Brittle Cr Interlayer on the Deformation Behavior of Thin Cu Films on Flexible Substrates:Experiment and Model / Acta Materialia 89:278
S. Endler / 2011 / Compensation of Externally Applied Mechanical Stress by Stacking of Ultra-Thin Chips / Proc. of 41st Euro. Solid-State Devi. Rese. Conf :279
X. J. Sun / 2008 / Thickness Dependent Fatigue Life at Microcrack Nucleation for Metal Thin Films on Flexible Substrates / J. Appl. Phys 41:195404
C. C. Lee / 2012 / Development of Robust Flexible OLED Encapsulations Using Simulated Estimations and Experimental Validations / J. Appl. Phys 45:27510
V. M. Marx / 2015 / The Influence of a Brittle Cr Interlayer on the Deformation Behavior of Thin Cu Films on Flexible Substrates:Experiment and Model / Acta Materialia 89:278
S. Endler / 2011 / Compensation of Externally Applied Mechanical Stress by Stacking of Ultra-Thin Chips / Proc. of 41st Euro. Solid-State Devi. Rese. Conf :279
X. J. Sun / 2008 / Thickness Dependent Fatigue Life at Microcrack Nucleation for Metal Thin Films on Flexible Substrates / J. Appl. Phys 41:195404
C. C. Lee / 2012 / Development of Robust Flexible OLED Encapsulations Using Simulated Estimations and Experimental Validations / J. Appl. Phys 45:27510
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