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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
57 - 60 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2005

상압화학기상 증착법에 의한 반도체탄소나노튜브의 성장과 $300^{\circ}C$ 대기에서의 산화열처리 효과
김좌연 ,  박경순 한국재료학회 학술발표대회 2005.01 학술대회자료
상압화학기상 증착법에 의한 반도체탄소나노튜브의 성장과 300oC 대기에서의 산화열처리 효과
김좌연 한국결정성장학회지 2005.01 학술저널

초록· 키워드

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SiO2로 산화된 웨이퍼 위에 상압화학기상증착 기술로 반도체 탄소나노튜브를 성장했으며, 이 나노튜브의 전기적 특성을 조사하였다. 전기적 특성은 반도체 탄소나노튜뷰를 300oC, 대기 중에서 산화 열처리 시간을 변화시키면서 상온 대기에서 측정하였다. 반도체 탄소나노튜브는 300oC에서 산화 열처리 시간을 증가할수록 점차적으로 금속 탄소나노튜브로 변형되는 것을 보았다. 탄소나노튜브는 300oC, 대기에서 6시간 동안 산화 열처리 후 표면의 일부가 없어지는 현상을 투과전자현미경으로 확인하였다.
#Semiconductor #Carbon #Nanotube #LPCVD #Thermal #Oxidation #AFM #TEM #Electrical #Metallic

목차

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참고문헌 (3)

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A.C. Dillon / 1997 / C.H. Kiang ?storage of hydrogen in single walled carbon nanotubes? nature : 386 ~ google schola G. Dressehaus / 1996 / ?Science of fullerenes and carbon nanotubes? 19. google schola W.A. de Heer / 1996 / ?Electron source and applications of same? international patent WO964101 google schola

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