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논문 기본 정보

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저자정보
Yun-Je Park (University of Ulsan) Jin-Young Choi (University of Ulsan) Su-Hyeon Choe (University of Ulsan) Yu-Sung Kim (University of Ulsan) Byung-Chul Cha (Korea Institute of Industrial Technology) Daeil Kim (University of Ulsan)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제52권 제3호
발행연도
2019.6
수록면
145 - 149 (5page)

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Transparent and conductive ZnO/Ag/SnO₂ (ZAS) tri-layer films were deposited onto glass substrates at room temperature by using radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering. The thickness values of the ZnO and SnO₂ thin films were kept constant at 50 nm and the value for Ag interlayer was varied as 5, 10, 15, and 20 nm. In the XRD pattern the diffraction peaks were identified as the (002) and (103) planes of ZnO, while the (111), (200), (220), and (311) planes could be attributed to the Ag interlayer. The optical transmittance and electrical resistivity were dependent on the thickness of the Ag interlayer. The ZAS films with a 10 nm thick Ag interlayer exhibited a higher figure of merit than the other ZAS films prepared in this study. From the observed results, a ZAS film with a 10 nm thick Ag interlayer was believed to be an alternative transparent electrode candidate for various opto-electrical devices.

목차

ABSTRACT
1. Introduction
2. Experimental Part
3. Results and Discussion
4. Conclusions
References

참고문헌 (12)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-581-000939232