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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
조대현 (경남과학기술대학교) 이승기 (한국과학기술연구원) 이창구 (성균관대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제68권 제2호
발행연도
2019.2
수록면
313 - 317 (5page)
DOI
10.5370/KIEE.2019.68.2.313

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In this study, nanometer-thick molybdenum disulfide (MoS₂) films were fabricated by Langmuir-Blodgett method and morphological characteristics and electrical properties were observed. The thickness of the thin films measured by AFM was about 10 nm, and the sheets constituting the thin films had a width of 100-400 nm in the plane direction. This means that micrometer-level molybdenum disulfide powder is dispersed in pure water through ultrasonic waves and self-assembled in the form of a thin film from nano-sheets by the Langmuir-Blodgett method. Raman spectra of the thin films showed that the nanometer-thick molybdenum disulfide films were obtained without the chemical change of the molybdenum disulfide. We conclude that the MoS₂ films fabricated by Langmuir-Blodgett method have semiconducting property from the measurement of 2.5 times amplified current than dark state (at 0.5 V). Furthermore, we analyze the electrical properties of MoS₂ film by measuring channel current depend on gate voltage. From the conventional I-V characteristic, we confirm that the MoS₂ film has n-type semiconducting characteristic.
#MoS₂ #Langmuir-Blodgett method #Transistor #Electrical characteristics

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
3. 결론
References

참고문헌 (16)

참고문헌 신청
K. S. Novoselov / 2004 / Electric field effect in atomically thin carbon films / Science 306:666~669 google schola C. Ashworth / 2018 / 2D materials : The thick and the thin / Nature Reviews Materials 3:18019 google schola K. F. Mak / 2010 / Atomically thin MoS2 : A new direct-gap semiconductor / Physical review letters 105:136805 google schola B. Radisavljevic / 2011 / Single-layer MoS2 transistors / Nature Nanotechnology 6:147~150 google schola S. Bertolazzi / 2011 / Stretching and breaking of ultrathin MoS2 / ACS Nano 5:9703~9709 google schola

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