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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.5
- 발행연도
- 2018.10
- 수록면
- 586 - 592 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2018.18.5.586
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A programmable logic-in-memory (LiM) based on magnetic tunneling junction (MTJ) is proposed. The logic function of the LiM is programmable by storing different state, that is, parallel or anti-parallel state, on a MTJ of reference cell. The logic function is performed by comparing the resistance of the MTJs in the cells representing the operands with that of the reference cell. A 24x8 LiM array has been simulated with a 65-nm CMOS process. When the LiM array is programmed as 8-bit full adder, the operation is completed in less than 3.6- ns and the energy consumption is 0.25-pJ/bit.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. MTJ-BASED LOGIC-IN-MEMORY
III. SIMULATION RESULTS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
W. H. Kautz, “Cellular logic-in-memory arrays,” Computers, IEEE Transactions on, vol. C-18, no. 8, pp. 719-727, Aug. 1969.
Harold S. Stone, “A logic-in-memory computer,” Computers, IEEE Transactions on, vol. C-19, no. 1, pp. 73-78, Jan. 1970.
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