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한석붕 (경상대학교) 고진환 (경상대학교) 송한정 (인제대학교) 김강철 (전남대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제55권 제7호(통권 제488호)
발행연도
2018.7
수록면
21 - 28 (8page)
DOI
10.5573/ieie.2018.55.7.21

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본 논문에서는 동적 문턱전압 MOSFET를 사용한 새로운 셀프 캐스코드 구조의 설계방식을 제안한다. 제안한 셀프 캐스코드는 저전압 및 저전력 소비를 위하여 공급전압이 500mV인 약반전 영역에서 동작하며 이 구조는 기존의 구조들에 비하여 칩 면적이 매우 작고 DC 바이어스 전압이 요구되지 않는다. 또한 동적 문턱전압 MOSFET의 특성에 의하여 트랜스컨덕턴스 (출력저항)는 단일 MOSFET 및 기존의 셀프 캐스코드에 비하여 각각 45%(163%), 24%(80%) 이상 증가한다. 본 논문에서 제안한 설계방식의 타당성을 검증하기 위하여, 기존 및 제안한 셀프 캐스코드들에 의하여 전류미러를 설계하였다. 모의실험은 Cadence 툴에 의하여 TSMC 0.18 ㎛ CMOS 공정을 사용하여 수행되었다. 모의실험 결과, 본 논문에서 제안한 방식으로 설계한 전류미러의 출력 전압에 대한 출력전류의 변동률이 20배 이상 향상되었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 기존의 셀프 캐스코드 설계방식
Ⅲ. 새로운 저전압 저전력 셀프 캐스코드 설계방식
Ⅳ. 실험
V. 전류미러의 설계에 응용
VI. 결론
REFERENCES

참고문헌 (10)

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