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학술저널
저자정보
Jinhaeng Jang (LG Electronics) Syam Kumar Pidaparthy (Kyungpook National University) Byungcho Choi (Kyungpook National University)
저널정보
전력전자학회 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS JOURNAL OF POWER ELECTRONICS Vol.18 No.4
발행연도
2018.7
수록면
985 - 996 (12page)

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The implementation and performance evaluation of an interleaved boundary conduction mode (BCM) boost power factor correction (PFC) converter is presented in this paper by employing three wide band-gap switching devices: a super junction silicon (Si) MOSFET, a silicon carbide (SiC) MOSFET and a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The practical considerations for adopting wide band-gap switching devices to BCM boost PFC converters are also addressed. These considerations include the gate drive circuit design and the PCB layout technique for the reliable and efficient operation of a GaN HEMT. In this paper it will be shown that the GaN HEMT exhibits the superior switching characteristics and pronounces its merits at high-frequency operations. The efficiency improvement with the GaN HEMT and its application potentials for high power density/low profile BCM boost PFC converters are demonstrated.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
III. PROTOTYPE INTERLEAVED BCM BOOST PFC CONVERTER
IV. PRACTICAL CONSIDERATIONS FOR THE GAN HEMT SWITCHING
V. EFFICIENCY EVALUATION WITH DIFFERENT SWITCHING DEVICES
VI. CONCLUSIONS
REFERENCES

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