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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.4
- 수록면
- 189 - 194 (6page)
이용수
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현재 대부분의 집적회로는 bulk CMOS 기술을 사용해서 제작되고 있으나 전력 소모를 낮추고 die 크기를 줄이기에는 한계점에 도달해있다. 이러한 어려움을 획기적으로 극복할 수 있는 초저전력 기술로서 SOI CMOS 기술이 최근에 크게 각광을 받고 있다. 본 논문에서는 100 ㎚ Thin SOI 기판 위에 제작된 n-채널 MOSFET 소자들의 열전자 효과들의 온도 의존성에 관한 연구 결과들이 논의되었다. 소자들이 LDD 구조를 갖고 있음에도 불구하고 열전자 효과들이 예상보다 더 심각한 것으로 나타났는데, 이는 채널과 기판 접지 사이의 직렬 저항이 크기 때문인 것으로 믿어졌다. 온도가 높을수록 채널에서의 phonon scattering의 증가와 함께 열전자 효과는 감소하였는데, 이는 phonon scattering의 증가는 결과적으로 열전자의 생성을 감소시켰기 때문인 것으로 판단된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험 결과 및 분석
4. 결론
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - P E. Cottrell / 1997 / Hot-electron emission in n-channel IGFET's / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES ED-26 (4) : 520 ~ 533
[학술지(정기간행물)] - M. Song / 1997 / Comparison of NMOS and PMOS Hot Carrier Effects From 300 to 77 K / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 44 (2) : 268 ~ 276
[학술지(정기간행물)] - T. Tsuchiya / 1994 / Hot-Carrier-Injected Oxide Region in Front and Back Interfaces in Ultra-Thin (50nm), Fully Depleted, Deep-Submicron NMOS and P MOSFET's/SIMOX and their Hot Carrier Immunity / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 42 (12) : 2351 ~ 2356
[학술지(정기간행물)] - L. Selmi / 1994 / Monitoring Hot-Carrier Degradation in SOI MOSFET's by Hot-Carrier Luminescence Techniques / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 48 (5) : 1135 ~ 1139
[학술지(정기간행물)] - W. Chen / 2016 / Electrothermal Effects on Hot-Carrier Reliability in SOI MOSFETs-AC Versus Circuit-Speed Random Stress / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 63 (9) : 3669 ~ 3676
[학술지(정기간행물)] - M. Song / 1997 / Comparison of NMOS and PMOS Hot Carrier Effects From 300 to 77 K / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 44 (2) : 268 ~ 276
[학술지(정기간행물)] - T. Tsuchiya / 1994 / Hot-Carrier-Injected Oxide Region in Front and Back Interfaces in Ultra-Thin (50nm), Fully Depleted, Deep-Submicron NMOS and P MOSFET's/SIMOX and their Hot Carrier Immunity / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 42 (12) : 2351 ~ 2356
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