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자료유형
학술저널
저자정보
김일환 (한양대학교) 박준성 (한양대학교) 박재근 (한양대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.6 No.1
발행연도
2018.3
수록면
27 - 30 (4page)

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The dependency of the electrical characteristics of silicon solar-cells on the depth of damaged layer induced by wire-sawing process was investigated. To compare cell efficiency with residual sawing damage, silicon solar-cells were fabricated by using as-sawn wafers having different depth of saw damage without any damaged etching process. The damaged layer induced by wire-sawing process in silicon bulk intensely influenced the value of fill factor on solar cells, degrading fill factor to 57.20%. In addition, the photovoltaic characteristics of solar cells applying texturing process shows that although the initial depth of saw-damage induced by wire-sawing process was different, the value of short-circuit current, fill-factor, and power-conversion-efficiency have an almost same, showing ~17.4% of cell efficiency. It indicated that the degradation of solar-cell efficiency induced by wire-sawing process could be prevented by eliminating all damaged layer through sufficient pyramid-surface texturing process.
#Wire sawing process #saw-damage #Si solar-cell #PV characteristics

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - M. A. Green / 2017 / Solar cell efficiency tables(version 50) / Progress in Photovoltaics : Research and Applications 25 : 668 ~ 676 google schola [학술지(정기간행물)] - H. J. Moller / 2005 / Multicrystalline silicon for solar cells / Thin Solid Films 487 : 179 ~ 187 google schola [학술지(정기간행물)] - A. Louwen / 2016 / A cost roadmap for silicon heterojunction solar cells / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 147 : 295 ~ 314 google schola [학술대회논문] - B. Sopori / 2013 / Characterizing damage on si wafer surfaces cut by slurry and diamond wire sawing / J. Appel, Photovoltaic Specialists Conference(PVSC) : 0945 ~ 0950 google schola [학술지(정기간행물)] - C. W. Hardin / 2004 / Fixed abrasive diamond wire saw slicing of single-crystal silicon carbide wafers / Mater. Manuf. Process 19 (2) : 355 ~ 367 google schola

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