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학술저널
저자정보
Seungkyu Hong (Kwangwoon University) Kyusik Kim (Kwangwoon University) Taeseok Kim (Kwangwoon University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.1
발행연도
2018.2
수록면
20 - 28 (9page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.1.020

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How to effectively make use of NVRAM in computing devices is still an open problem. In this paper, we present a practical scheme that reduces the user latency, specially the page loading time in browser by using NVRAM. We first employ two-level caching architecture that uses the fast data access speed of NVRAM, and then propose a prefetching scheme that exploits the non-volatility and the byte-addressability of NVRAM. Unlike other existing prefetching schemes that consider only the prefetching accuracy, our prefetching predicts web pages to be visited next time in terms of the user latency. To this end, we maintain a graph that represents page loading time of web page and access pattern of user in NVRAM. The predicted web pages are processed in the background by using hidden tab of browsers while user reads a web page. Through implementation on open-source web browser QTwebkit, we demonstrate that our scheme improves average page loading time by up to 40%.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. RELATED WORKS
III. A PRACTICAL PREFETCHING SCHEME WITH NVRAM
IV. PERFORMANCE EVALUATION
V. CONCLUSIONS AND FUTURE WORKS
REFERENCES

참고문헌 (16)

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