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김윤정 (동국대학교) 김연주 (동국대학교) 신예지 (동국대학교) 신연주 (동국대학교) 조재희 (동국대학교) 김수연 (동국대학교) 안세라 (삼성전자)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2017년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2017.11
수록면
1,085 - 1,090 (6page)

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본 논문은 wide dynamic range (DR) CMOS Image Sensors (CIS)에 대해 시술하였다. 많은 종류의 wide dynamic range CMOS Images Sensors는 multiple sampling, a multiple exposure technique 등과 같은 방식으로 발전되어왔다. 하지만 이 기술들은 노이즈가 증가하고 소비 전력과 칩 면적이 커진다는 단점이 있다. 이 논문에서는 gamma correction을 위해 규칙적이지 않는 카운터를 적용한 새로운 Single Slope(SS) - ADD를 기술한다. 예측된 Scheme은 간단한 algorithmic으로 쉽게 향상될 수 있기 때문에 소비전력과 칩 면적을 줄일 수 있다. 더구나 gamma correction을 위한 새로운 SS-ADC는 dynamic range를 향상시키다. WDR CIS는 90nm CIS 공정으로 설계되었고 칩 면적은 5155μm × 5155 μm이다. 픽셀 해상도는 1920 × 1440이고 conversion rate는 100KS/s이다.

목차

초록
1. 서론
2. 제안된 CIS 구조
3. VLSI IMPLEMENTATION
4. 실험 결과
5. 결론
참고문헌

참고문헌 (0)

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