지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 344 - 349 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
60-70 ㎚급의 design rule을 가진 고집적 반도체 소자를 제작하려면, 트랜지스터 형성 이후의 공정에서 thermal budget을 줄이기 위하여 공정의 온도를 낮추는 것이 중요하다. 본 연구에서는 고온의 습식 산화막을 대체할 수 있는 저온의 LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) SiO₂(LTO Low-Temperature Oxide) 박막 증착공정을 제시하였으며, ONO (Oxide/Nitride/Oxide) 구조의 커패시터를 형성하여 증착된 LTO 박막의 전기적인 신뢰성을 평가하였다. LTO 박막은 5 MV/㎝ 이하의 전기장 영역에서는 고온의 습식 산화막과 크게 차이가 없는 누설전류 특성을 보였으나, 더 높은 전기장의 영역에서는 훨씬 더 우수함을 보여주었다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 1998. / Effect of N2O nitridation on the electrical properties of MOS gate oxides 38 (Issue 2) : 239 ~ 242
[학술지(정기간행물)] - / 1997 / The impact of in-situ rapid thermal gate dielectric processes on deep submicron MOSFETs 41 (Issue 4) : 619 ~ 625
[학술지(정기간행물)] - / 1991. / Determination of properties of thin thermal SiO2 on silicon by spectroscopic ellipsometry 195 issue 1-2 : 185 ~ 192
[학술지(정기간행물)] - / 1984. / Characterization of low pressure chemically vapour-deposited thin silicon nitride films 122 : 153 ~ 163
[학술지(정기간행물)] - / 1989. / LPCVD of silicon dioxide by pyrolysis of teos in a rapid thermal processor 8 : 353 ~ 356
[학술지(정기간행물)] - / 1997 / The impact of in-situ rapid thermal gate dielectric processes on deep submicron MOSFETs 41 (Issue 4) : 619 ~ 625
[학술지(정기간행물)] - / 1991. / Determination of properties of thin thermal SiO2 on silicon by spectroscopic ellipsometry 195 issue 1-2 : 185 ~ 192
[학술지(정기간행물)] - / 1984. / Characterization of low pressure chemically vapour-deposited thin silicon nitride films 122 : 153 ~ 163
[학술지(정기간행물)] - / 1989. / LPCVD of silicon dioxide by pyrolysis of teos in a rapid thermal processor 8 : 353 ~ 356
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
LPCVD 시스템에 의한 박막 증착 연구 ( A Study on the Deposition of Thin Films by LPCVD System )
한국통신학회 학술대회논문집
1988 .01
-
LPCVD 시스템에 의한 박막 증착 연구 ( A Study on the Deposition of Thin Films by LPCVD System )
특정연구 결과 발표회 논문집
1988 .01
-
증착온도가 LPCVD 실리콘 박막의 물성과 전기적 특성에 미치는 영향
전기학회논문지
1992 .07
-
An Experimental Study on the Charge Trapping in Low Temperature LPCVD Oxides
JOURNAL OF KIEE
1988 .09
-
저온제작 LPCVD 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 전기적 특성 ( The Electrical Characteristics of LPCVD Poly Silicon Thin Film Transistors Fabricated at Low Temperature )
전자공학회논문지-A
1992 .06
-
LPCVD-Si3N4 박막의 열 산화 ( Thermal Oxidation of Thin LPCVD-Si3N4 Film )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
-
LPCVD 방법에 의한 고신뢰성 다결정 실리콘박막의 증착 ( High Reliable Polysilicon Film Deposited by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
-
LPCVD System
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
-
원자층 증착 방법에 의한 silicon oxide 박막 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
증착속도에 따른 LPCVD 비정질실리콘 박막의 고상결정화거동
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
CHARACTERISTICS OF STACKED OXIDE-NITRIDE-OXIDE FILMS FOR HIGH DENSITY DRAM CELL CAPACITOR
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
-
LPCVD 텅스텐 박막에 관한 고찰
[ETRI] 전자통신동향분석
1987 .12
-
LPCVD 공정중 웨이퍼의 온도장 해석 ( An Analysis of Temperature Field of Wafers in LPCVD Process )
대한기계학회 춘추학술대회
1997 .01
-
반구형 LPCVD 다결정 실리콘 박막의 구조 및 특성
한국재료학회지
1991 .01
-
LPCVD 공정중 웨이퍼의 온도장 해석 ( Thermal Analysis of the Wafers in LPCVD Process )
대한기계학회 논문집 B권
1998 .05
-
Reaction kinetics of tin oxide films prepared by LPCVD
한국에너지학회 학술발표회
2014 .04
-
LPCVD 다결정 실리콘 막 성질이 박막트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
-
LPCVD 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 수소화 효과에 관한 연구
전기학회논문지
1994 .12
-
Si₂B₆를 이용한 LPCVD실리콘 박막의 결정 성장 및 구조적 성질에 관한 연구
전기학회논문지
1991 .07
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-505-001122742