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고집적 DRAM Cell 에 대한 연구 ( The Study of High Density DRAM Cell Structure )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
고밀도 DRAM Cell의 새로운 구조에 관한 연구 ( A Study on New High Density DRAM Cell )
전자공학회논문지
1989 .06
ロジックとの混載に適した反轉スタックキャパシタ ( RSTC ) DRAMセル構造の提案 ( A Reserved-Stacked-Capacitor ( RSTC ) DRAM Cell Suitable for Embedded DRAM`s )
대한전자공학회 워크샵
1996 .01
온도 변화에 따른 THIN OXIDE 악의 전기적 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1986 .06
온도 변화에 따른 THIN OXIDE 막의 전기적 특성에 관한 연구 ( THE STUDY OF ELECTRIC CHARACTERISTIC ABOUT THIN OXIDE FILM AT THE VARIABLE TEMPERATURE )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
The Influence of Ion Implantation Damage on the Off-State Leakage Characteristics of n-MOSDETs with Ultrathin Oxide, Nitrided-Oxide and Re-Oxidized Nitrided-Oxide Gate Dielectrics
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
A STUDY ON THE EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS OF SOLID OXIDE FUEL CELL SYSTEM ON THE STACK
AFORE
2017 .11
플래시 EEPROM 셀에서 ONON ( oxide-nitride-oxide-nitride ) Inter-Poly 유전체막의 신뢰성 연구 ( Study of the Reliability Characteristics of the ONON ( oxide-nitride-oxide-nitride ) Inter-Poly Dielectrics in the Flash EEPROM cells )
전자공학회논문지-D
1999 .10
ONO ( Oxide-Nitride-Oxide ) 막의 EEPROM 적용 가능성에 관한 연구 ( A Study on the Application of ONO ( Oxide-Nitride-Oxide ) Film to EEPROM as Interpoly Dielectrics )
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
Analysis of Safety Performance Evaluation Results for Solid Oxide Fuel Cell Stack
AFORE
2019 .11
A STUDY ON DEVELOPMENT OF SAFETY PERFORMANCE EVALUATION SYSTEM FOR SOLID OXIDE FUEL CELL STACK
AFORE
2017 .11
Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
[박사학위 논문초록] 고성능 및 저전력 3D 적층형 DRAM에 관한 연구
전자공학회지
2019 .12
DRAM 특집을 내면서
전기의세계
1989 .04
256Mbit 및 그 이후 세대 DRAM을 위한 소자분리 및 Capacitor 기술 ( Isolation and Capacitor Technologies for 256M Bit DRAMs and Beyond )
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
고집적 DRAM을 위한 새로운 셀 커패시터 ( A Novel Coated Fin Capacitor ( CFC ) for High Density DRAMs )
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
High Density DRAM using Prior P-Well Process
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
Novel Robust Structure and High k Dielectric Material for 90 ㎚ DRAM Capacitor
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2003 .06
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