Widely Tunable Adaptive Resolution-controlled Read-sensing Reference Current Generation for Reliable PRAM Data Read at Scaled Technologies

Mu-hui Park; Bai-Sun Kong

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자료유형: 학술저널

저자정보: Mu-hui Park (Samsung Electronics) Bai-Sun Kong (Sungkyunkwan University)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.3

발행연도: 2017.6

수록면: 363 - 369 (7page)

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Phase-change random access memory (PRAM) has been emerged as a potential memory due to its excellent scalability, non-volatility, and random accessibility. But, as the cell current is reducing due to cell size scaling, the read-sensing window margin is also decreasing due to increased variation of cell performance distribution, resulting in a substantial loss of yield. To cope with this problem, a novel adaptive read-sensing reference current generation scheme is proposed, whose trimming range and resolution are adaptively controlled depending on process conditions. Performance evaluation in a 58-㎚ CMOS process indicated that the proposed readsensing reference current scheme allowed the integral nonlinearity (INL) to be improved from 10.3 LSB to 2.14 LSB (79% reduction), and the differential nonlinearity (DNL) from 2.29 LSB to 0.94 LSB (59% reduction).

#Non-volatile memory #PRAM #current reference generator #current DAC

참고문헌 (6)

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S. Lai and T. Lowrey, “OUM - A 180 nm Nonvolatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications,” IEDM 2001. Y. N. Hwang et al., “Full integration and reliability evaluation of phase change RAM based on 0.24 _m CMOS technologies,” in Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Papers, pp. 173?174, 2003 Y. Shin, “Non-volatile memory technologies for beyond 2010”, in Symp. VLSI Circuits Dig. Tech. Papers, pp. 156?159, 2005 J. H. Oh et al., “Full integration of highly manufacturable 512Mb PRAM based on 90nm technology,” in IEDM Dig. Tech. Papers, pp. 49, 2006 Kwang-Jin Lee and et al “A 90 nm 1.8 V 512 Mb Diode-Switch PRAM With 266 MB/s Read Throughput” IEEE Journal of Solid-State Circuits, pp. 150-162, Jan. 2008

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Mu-hui Park

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